博思数据:全球IGBT市场规模及竞争格局分析

    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    IGBT 在智能电网的相关设备中起到至关重要的作用。显而易见，在智能电网建设的过程中，IGBT 成为整个领域最受益的产品。IGBT 是交流系统与直流系统的补偿装置中核心器件。而在整流，直流传输与换流器发挥着重要作用。

    中国智能电网的建设已进入第二阶段的尾声，在大力建设特高压、数字化变电站的同时，智能调度将逐渐引入，用电信息采集和智能电表的需求也将有较快增长。2009-2020年国家电网总投资3.45万亿元，其中智能化投资3841亿元，占电网总投资的11.1%。第一阶段2009-2010年的电网总投资为5510亿元，智能化投资为341亿元，占电网总投资的6.2%；第二阶段电网总投资为15000亿元，智能化投资为1750亿元，占总投资的11.7%；第三阶段电网总投资为14000亿元，智能化投资为1750亿元，占总投资的12.5%。

    IGBT既具有MOSFET 器件驱动功率小、开关速度快的优点，又具有双极型器件容饱和压降低而容量大的优点，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，特别是在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

    IGBT 的工业应用包括交通控制、功率变换器、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费方面，IGBT 用于家用电器、相机和手机等。

    据博思数据发布的《2016-2022年中国IGBT功率模块市场分析与投资前景研究报告》：2010年全球IGBT市场规模为30.06亿美元，2011年全球IGBT市场规模激增至40.34亿美元，增速达34%。当中Infineon公司IGBT销售业务从2010年的6.1亿美元上升至2011年的7.8亿美元。2012-2013年全球IGBT市场规模下滑较为明显，2014年全球IGBT市场规模回升至38.45亿美元，2015年全球IGBT市场规模回落至36.21亿美元。

2010-2015年全球IGBT市场规模统计
 

资料来源：Infineon

    国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、ABB、三菱、西门康、东芝、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。

    国外企业如英飞凌、ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V，电流2A-3600A，已形成完善的IGBT产品系列。

    全球IGBT行业市场集中度高，当中日本三菱集团（Mitsubishi）占全球市场份额的26.1%；英飞凌（Infineon）市场占有率为20.5%；日本富士电机（Fuji Electric）市场占有率为12.2%，全球前五大生产商占据市场总量的74%。

全球IGBT市场竞争格局
 

资料来源：Infineon

    IGBT 是节能和新能源产业的快速发展的重要推动力和受益者：从产品的最终应用领域分，家用电器领域IGBT需求为6.37亿美元，占全球需求总量的17.6%；基础设施领域IGBT需求为5.18亿美元，占比为14.3%；铁路领域领域IGBT需求为2.90亿美元，占比为8.0%。