AI手机算力突破60TOPS,散热成了比芯片更紧迫的事
一、驱动力:5G叠加AI,功耗持续攀升
5G技术的普及是散热需求爆发的第一推动力。5G手机数据传输速度大幅提升,处理器等核心部件运算量和功耗显著增加,产生的热量远高于4G时代。而更大的变量来自AI——2023年AI手机出货量占比仅5%,预计2028年渗透率将达54%,旗舰机AI算力在数年内增长20倍,2025年已超60TOPS。
芯片制程持续迭代的同时, Dennard Scaling(登纳德缩放定律)逐渐失效,导致芯片功耗持续攀升。手机功耗从5-6W升至10W,散热需求随之跃升。中信证券的研报判断,VC均热板已从5G换机周期中的“散热升级件”,演变为AI终端时代的“基础热管理平台件”,增长逻辑形成了“AI算力提升→功耗增加→散热方案升级→单机价值量提高”的持续强化循环。
对普通用户而言,这意味着未来买手机时,“散热规格”将与“芯片型号”同等重要;对企业而言,这是一场从材料到结构、从被动到主动的系统性升级。
二、市场规模:千亿级赛道,结构性扩容
2025年,全球5G手机散热件市场规模约为72.28亿美元,预计2032年将达到118.6亿美元,年复合增长率7.4%。全球5G设备热管理市场2025年规模约337.4亿元,预计2032年将接近945.7亿元。
在细分领域,2025年全球热管市场规模约37.76亿美元,均温板(VC)约11.97亿美元。手机VC均热板2024年全球市场规模约10.1亿美元,预计2031年将达28.04亿美元,年复合增长率14.1%。NTCysd预测,2030年全球VC市场规模有望达21亿美元。
中国市场方面,2024年智能手机散热器件行业市场规模约为32.67亿元,同比增长6.52%。随着5G网络覆盖深化和AI手机渗透率提升,这一数字将持续攀升。

三、技术路线与竞争格局:从“被动”到“主动”的跃迁
手机散热的技术路线正在经历从“被动散热”向“主动散热”的结构性升级。
被动散热仍是主流。目前手机以被动散热为主,采用VC均热板、石墨烯膜、石墨膜等材料。主流旗舰手机普遍采用“石墨系导热+VC均热板+硅脂/导热胶片”的多层叠加结构。2025年中国手机均热板渗透率已达52%。石墨烯散热膜方面,CGIA Research预测2025年全球智能手机市场规模将达30亿元(5G手机占26.4亿元)。
主动散热正在成为新方向。微泵液冷、拇指风扇等技术的成熟,预示移动终端有望迈入主动散热时代。转折出现在2025年下半年——OPPO在K13 Turbo系列中首次在非游戏手机中引入内置风扇。随后,荣耀WIN系列、iQOO 15 Ultra等产品相继亮相,均搭载了不同形式的主动散热方案。2026年,华为发布了Mate 80 Pro Max风驰版,搭载主动式风冷方案。主动散热正从“少数”走向更广泛的产品线。

竞争格局方面,全球均热板前五大生产商合计市场份额已从2022年的64%提升至2024年的91%,行业集中度显著提升。台厂在超薄VC等高端工艺上保持先发优势,但大陆厂商正成为份额提升最快的主战场。行业标准也在加速落地——消费电子用超薄均温板团体标准已于2026年发布;移动智能终端便携散热器行业标准于2025年2月起实施。
新进入者面临三重壁垒:技术壁垒(超薄化、材料复合化、3D化构成长链条工艺体系)、客户认证壁垒(进入头部手机品牌供应链周期长)、规模壁垒(头部厂商已形成产能和成本优势)。
四、未来趋势与观察
趋势一:VC均热板从“旗舰专属”走向“全价位覆盖”。 iPhone 17 Pro系列首次导入VC均热板,标志着这一技术完成全球主流旗舰的确认。2026年iPhone 18系列有望全系搭载,安卓阵营则由旗舰向中低端持续下沉。
趋势二:主动散热从“游戏手机”走向“主流机型”。 随着芯片功耗持续攀升,被动散热的物理极限正在逼近。内置风扇、微泵液冷等主动散热方案将在更多机型中出现。
趋势三:单机价值量持续提升。 散热方案从单一石墨片升级为“VC+石墨膜+TIM”组合,再到主动散热介入,单机散热价值量正在经历倍数级增长。
在这个过程中,博思数据将继续关注行业动态,为相关企业和投资者提供准确、及时的市场分析和建议。
《2026-2032年中国5G手机散热件行业市场竞争格局与投资趋势前景分析报告》由权威行业研究机构博思数据精心编制,全面剖析了中国5G手机散热件市场的行业现状、竞争格局、市场趋势及未来投资机会等多个维度。本报告旨在为投资者、企业决策者及行业分析师提供精准的市场洞察和投资建议,规避市场风险,全面掌握行业动态。

2、站内公开发布的资讯、分析等内容允许以新闻性或资料性公共免费信息为使用目的的合理、善意引用,但需注明转载来源及原文链接,同时请勿删减、修改原文内容。如有内容合作,请与本站联系。
3、部分转载内容来源网络,如有侵权请联系删除(info@bosidata.com),我们对原作者深表敬意。

















